TOSHIBA东芝IGBT模块型号MG400Q1US41广泛应用于:冶金、矿山、风电、电镀、电解、交通、电焊机、电力、医疗器械行业的装置中。东芝IGBT,TOSHIBA GTO,东芝IGBT模块,TOSHIBA IGBT模块代理
TOSHIBA东芝IGBT模块使用注意事项:由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
MG400Q1US41东芝TOSHIBA代理IGBT模块图片
MG400Q1US41东芝IGBT,TOSHIBA GTO,东芝IGBT模块,TOSHIBA IGBT模块2U(双管):
MG25J2YS9、MG25J2YS40、MG25J2YS91、MG50J2YS1、MG50J2YS9、MG50J2YS40、MG50J2YS50、MG50J2YS45、MG50J2YS91、MG75J2YS1、MG75J2YS1、MG75J2YS9、MG75J2YS40、MG75J2YS45、MG75J2YS50、MG75J2YS91、MG100G2YS1、MG100H2ZS1、MG100J2YS1、MG100J2YS9、MG100J2YS40、MG100J2YS45、MG100J2YS50、MG100J2YS91、MG150J2YS1、MG150J2YS40、MG150J2YS45、MG150J2YS50、MG200J2YS1、MG200J2YS40、MG200J2YS42、MG200J2YS45、MG200J2YS50、MG300J2YS1、MG300J2YS40、MG300J2YS50、MG400J2YS40、MG400J2YS50、MG400J2YS58、MG400J2YS60A、MG400J2YS61A、MG600J2YS59、MG400J2YS60A、MG600J2YS60A、MG400J2YS61A、MG600J2YS61A、MG25Q2YS9、MG25Q2YS40、MG25Q2YS40(EP)、MG25Q2YS91、MG50N2YS1、MG50Q2YS91、MG50N2YS1、MG50Q2YS9、MG50Q2YS40、MG50Q2YS43、MG50Q2YS45、MG50Q2YS50、MG75N2YS40、MG75Q2YS1、MG75Q2YS2、MG75Q2YS11、MG75Q2YS40、MG75Q2YS42、MG75Q2YS43、MG75Q2YS50、MG75Q2YS50(HU)、MG75Q2YS51、MG100N2YS1、MG100Q2YS1、MG100Q2YS9、MG100Q2YS11、MG100Q2YS40、MG100Q2YS42、MG100Q2YS42(EP)、MG100Q2YS44、MG100Q2YS51、MG100Q2YS51、MG100Q2YS65H、MG100Q2YS91、MG200Q2YS1、MG200Q2YS9、MG200Q2YS11、MG200Q2YS40、MG200Q2YS40(EP)、MG200Q2YS45、MG200Q2YS50、MG200Q2YS65H、MG300Q2YS40、MG300Q2YS43、MG300Q2YS50、MG300Q2YS50、MG300Q2YS61、MG300Q2YS65H、MG30V2YS40、MG90V2YS40、MG120V2YS40、MG180V2YS40、MG400V2YS60、MG400V2YS60A